全球“雙碳”背景下，綠色能源的普及和汽車電動化已經逐漸成為了趨勢。特斯拉首次將意法半導體生產的24個SiC MOSFET功率模塊引入其Model 3的主逆變器中，推動了碳化硅功率器件市場的增長。
我國SiC襯底技術發展現狀（來源：CASA）
在SiC器件構造中，襯底（47%）的占比最高，而且襯底相關的技術壁壘非常高。國內碳化硅襯底目前暫時止步于6英寸及以下水平，對比國外：美國半導體廠商Wolfspeed已經研發出8英存襯底產品并開始建設生產線；法國Soitec也于今年5月4號發布了新型20mm的8英寸碳化硅襯底，II-VI公司成功研制出8英寸導電型碳化硅襯底。我國預計在十四五時期（預計在2025年前）突破8英寸襯底的關鍵技術。
SiC襯底制作工藝流程（來源：五礦證券研究所）
碳化硅襯底的生產成本高，而且制作工藝技術密集，生產難度大，在制作流程中存在很多還沒有被解決的問題：
制作流程的第一步是將合成的碳化硅粉在氬氣環境下加熱到2500℃以上，破碎、清洗之后得到適合生長的高純度的碳化硅微粉原料。
再采用PVT（物理氣相傳輸）法生長，難點大多存在于這個過程中。第一是要精準控制生長溫度梯度，因為SiC需要在2300℃以上的高溫環境中生長，第二：碳化硅生長周期很長，Si晶綻2至3天就能拉出約2m長的8英寸硅晶棒，但是碳化硅需要7天才能拉一個約2cm的碳化硅晶棒，冗長的時間也是SiC MOSFET現在無法在電動車上廣泛普及的重要因素。
第三是由于晶體的類型繁雜，生長過程中要嚴格控制硅碳比，晶體生長速率，氣流氣壓等參數，否則容易產出失敗晶體，工程師在檢查晶體的過程中經常會識別到晶體內部出現的大量“死區”，原因為堆垛錯層（正常堆垛順序中引入不正常順序堆垛的原子面而產生的一類面缺陷，或者晶體結構正常的周期重復堆垛順序在某二層間出現了錯誤）。
除此之外，晶體由6英寸向8英寸擴徑的難度也很大，由于物理氣相傳輸法(physical vapor transport， PVT)是目前最成熟的晶體生長技術，通俗來說：PVT技術類似于蒸鍋鍋蓋上水蒸氣的凝結，凝結長大的籽晶成品率低，確限度高，隨著晶體尺寸擴大，生長難度工藝更是呈幾何級增長。
目前有望取代PTV法的技術是頂部籽晶溶液生長法（TSSG），它成本更低，對高溫環境要求小，可以讓碳化硅晶體在低于2000℃的環境下生長，而且晶體的質量更高，易擴徑，能更好的實現穩定的p型摻雜，不過其缺點在于籽晶生長周期過慢，晶體生長的尺寸小。
導電型SiC襯底
碳化硅晶棒形成之后由于其硬度高（SiC的莫氏硬度：9.2-9.6），與金剛石（相對硬度：10）非常接近，切割時要嚴格把關晶片翹曲度(warp)，因為切割后得到的晶片翹曲度基本無法修復，所以對晶棒切割的技術要求也很高。晶棒切割現在廣泛采用多線切割法：使用高速運動的鋼線對晶棒進行摩擦切割，不過產出的晶片的翹曲度大多不符合要求，浪費原料增加成本。不過目前公開了一種新的粘棒方法，在碳化硅的端面粘貼陪片后再切割，這樣能提高碳化硅晶棒端面鏡片的質量和良品率。
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