最近遇到一家客戶有點“不切實際”地執意要在輻射暴露的供電應用中，使用并非專為輻射環境而設計的功率MOSFET……
最近遇到一家客戶有點“不切實際”地執意要在輻射暴露的供電應用中，使用并非專為輻射環境而設計的功率MOSFET。這就像是在問培樂多彩泥（Play-Doh）能不能拿來制造車輛的輪胎一樣。
簡言之，關于在輻射環境中使用半導體組件，抗輻射與否絕不應該會是個問題。
許多年以前，我曾經就這個問題請教當時的“國際整流器公司”(International Rectifier；IR)——該公司已于2015年成為英飛凌科技(Infineon Technologies)的一部份。
“…我們公司的一家新客戶疑似在其輻射暴露的產品中，采用了非抗輻射的IR功率FET。請問是否有任何應用指南(application note)討論這可能對于FET本身及其驅動器造成什么危害？”
該公司的技術支持中心給我的回復是：
“…我們并不建議在輻射環境中使用非抗輻射的MOSFET。因此，也沒有可在輻射環境中使用此類組件的應用指南。”
在此與讀者分享這封郵件：
盡管等了一天的時間才得到答案，但答案十分清楚且明確：
(原文發表于ASPENCORE旗下EDN美國版，參考原文：Non-rad-hard power MOSFET question，編譯：Susan Hong)
責編：Demi
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