?據成都蓉矽半導體有限公司官方發布消息，具有自主知識產權的1200V碳化硅二極管產品“NovuSiC® EJBS™”系列已經實現量產，蓉矽半導體通過器件結構與工藝優化，獲得了有超低漏電（2μA）且抗浪涌電流能力等同MPS的碳化硅JBS，稱之為“EJBS™” (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)。
性能強大的1200V NovuSiC® EJBS™
第三代寬禁帶碳化硅半導體材料、具有高擊穿場強、高熱傳導率和高電子飽和速率等優異的物理性能，在高溫、高壓、高頻、大功率、抗輻射等領域顯示出了先天優勢。以該材料為基礎開發的功率半導體功率器件正在被推廣應用在太陽能光伏、風電、儲能、通訊、新能源汽車、電網、航空航天等行業，可以大幅降低能量損失，減少終端系統體積，助力達成“雙碳”目標。
蓉矽半導體丨可靠性考核
其中，碳化硅二極管作為第三代半導體材料在大功率PFC電路中是必不可少的，憑借碳化硅二極管的高頻性能，無反向恢復的特性，可以減小開關損耗和整機體積，顯著提高轉換效率和功率密度。據了解，蓉矽NovuSiC® EJBS™系列產品的正向浪涌超過額定電流12倍，VF@20A 僅有1.37V, 且漏電極低(2μA)， 具有多種封裝形式可以選擇。產品應用在太陽能光伏、充電樁與工業電機逆變器、DC-DC變換器和OBC等領域。
NovuSiC® EJBS™產品列表（部分）
不僅如此，由蓉矽半導體獨立設計開發并擁有自主知識產權的nA級漏電的MCR®（MOS-Controlled Rectifier）系列產品市場表現火熱，MCR®是有高耐壓、超低漏電、低導通壓降和高結溫性能的理想硅基二極管，可應用在工業電源、便攜式儲能、光伏等領域。
MCR®丨便攜式儲能應用
自主研發，注重品質
“我們始終堅持產品自主研發，立足市場需求，專注提升產品性能，第一代1200V 碳化硅二極管讓我們感到滿意但不滿足。”蓉矽CTO高博士表示，“公司成立兩年來，我們克服了疫情影響，始終專注于碳化硅二極管和MOS的產品的研發、測試工作，不斷突破技術難點，優化器件結構，提升工藝水平，取得了一系列突破性進展，現在看來，一切都是值得的。”
蓉矽CEO戴茂州表示，“我們希望從市場應用場景出發，開發符合客戶應用需求的高性能，高可靠性的產品，而不僅是推出沒有明確目標與應用場景的通用型產品。讓產品的性能數據說話，讓產品的穩定質量與穩定供貨說話，讓蓉矽成為一家值得客戶信賴的國產碳化硅器件公司是我們的行為標桿與使命。”未來，公司將繼續加大研發投入，繼續研發1700V、3300V 車規級碳化硅二極管、MOSFET和碳化硅模塊，以便滿足市場對高性能、高可靠性的新能源汽車及高端工業領域功率半導體器件需求。
關于成都蓉矽半導體有限公司
成都蓉矽半導體有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 是四川首家專注于第三代寬禁帶半導體碳化硅（SiC）功率器件設計與開發的高新技術企業，致力于開發世界一流水平的車規級碳化硅器件，產品涵蓋碳化硅單管、模組系列和nA級超低漏電的理想二極管MCR®（MOS-Controlled Rectifiers)。其中NovuSiC® /DuraSiC® 系列的1200V二極管與1200V SiC MOSFET已進入量產，并完成超國際考核標準驗證(NovuStandard - AEC-Q1O1+)，性能達國際先進水平，廣泛應用于工控電源、工業電機、光伏逆變、儲能、充電樁及新能源汽車等領域。
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