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以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導體材料的應用，是各國爭相發展的重點領域。第三代寬禁帶半導體材料獨有的高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特性，不僅能夠滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等最新需求，還可以降低50%以上的能量損失，最高可使裝備體積減小近75%，在半導體材料領域具有里程碑意義。

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邁向節能世界的下一個關鍵步驟是使用新材料，比如寬帶隙半導體，這些材料可以實現更高的功率效率、更小的尺寸、更輕的重量、更低的總體成本——或者同時實現上述所有優點。英飛凌是目前唯一一家提供硅(Si)、碳化硅(SiC)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和氮化鎵(GaN)器件的公司，這一獨特地位使其成為所有領域客戶的首選。

本視頻系列介紹ADI精密數模轉換器技術以及了解此系列數據轉換元件所需的核心信息。該系列包括精密DAC技術概述，介紹了精密DAC的基本定義和要求。還說明了當前精密DAC產品組合采用的不同DAC架構，以及精密DAC的主要性能規格和主要應用。

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