InnoSwitch3-EP?1250V?IC強化了公司在高壓氮化鎵技術領域的持續領先地位

泰克針對SiC器件/模塊可提供以下全流程測試驗證解決方案，相關方案已被各大汽車檢測認證機構廣泛采用

意法半導體發布了ACEPACK DMT-32系列車規碳化硅(SiC)功率模塊，新系列產品采用便捷的32引腳雙列直插通孔塑料封裝

全負荷生產時，富川晶圓廠每年將能生產超過一百萬片SiC晶圓

Apple改用USB?Type-C的轉變，搭配以氮化鎵(GaN)功率半導體所驅動的快充技術，象征著一個標準化的充電時代即將來臨...

PowiGaN技術將讓aCentauri車隊在普利司通世界太陽能車挑戰賽期間穿越內陸的艱苦比賽中更勝一籌

未來光伏戶用儲能系統的效率和功率密度是最制約未來產品競爭力的重要因素。

PowiGaN技術助力aCentauri車隊在普利司通世界太陽能車挑戰賽內陸穿越中脫穎而出

本文重點關注閾值電壓均衡對提高SiC?MOSFET電源模塊開關性能的重要性…

2023年的戶用儲能市場不火了？中國是否會向歐洲等地迎來屬于自己的戶儲時代？

作為最具代表性的第三代半導體材料，氮化鎵已成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一，且其器件生產工藝和技術也日趨成熟，但目前的市場普及率相比硅基器件仍有數量級差距。譽鴻錦品牌戰略官張雷指出，截止2023年，氮化鎵在功率器件的行業滲透率其實還不到1%。那到底是什么來阻礙了氮化鎵器件的推廣？是因為應用規模不夠導致成本無法降低嗎？

使用更為先進的Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。