第三代寬禁帶半導體——碳化硅(SiC)——正在發揮其眾所周知的潛力，在過去五年內，汽車行業一直是該材料的公開試驗場。然而，電氣化議程不會以汽車開始和結束。更廣泛的運輸應用將很快出現，包括卡車和公共汽車、船舶和航運、火車的進一步電氣化，甚至飛機。在供電方面，并網太陽能發電系統和通過高壓直流鏈路傳輸能源，對于低碳能源的生產和分配也至關重要。

增強型GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)已經采用兩種不同的結構開發出來。這兩種增強型結構是金屬-絕緣層-半導體(MIS)結構和柵極注入晶體管(GIT)結構。MIS結構具有受電壓驅動的小柵極漏電流，而GIT則具有脊形結構和高閾值電壓。兩者也都有一些缺點。MIS對柵極干擾的可靠性較低，閾值電壓較低，而GIT的柵極開關速度較慢，柵極漏電流較大。

本文將演示芯片級封裝(CSP) GaN FET提供的散熱性能為什么至少能與硅MOSFET相當，甚至更勝一籌。GaN FET由于其卓越的電氣性能，尺寸可以減小，從而能在不違背溫度限制的同時提高功率密度。本文還將通過PCB布局的詳細3D有限元仿真對這種行為進行展示，同時還會提供實驗驗證，對分析提供支持。