BLDC在機器人應用中具有優勢，但需要對電機控制器和驅動器進行特殊考慮。

第三代寬禁帶半導體——碳化硅(SiC)——正在發揮其眾所周知的潛力，在過去五年內，汽車行業一直是該材料的公開試驗場。然而，電氣化議程不會以汽車開始和結束。更廣泛的運輸應用將很快出現，包括卡車和公共汽車、船舶和航運、火車的進一步電氣化，甚至飛機。在供電方面，并網太陽能發電系統和通過高壓直流鏈路傳輸能源，對于低碳能源的生產和分配也至關重要。

增強型GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)已經采用兩種不同的結構開發出來。這兩種增強型結構是金屬-絕緣層-半導體(MIS)結構和柵極注入晶體管(GIT)結構。MIS結構具有受電壓驅動的小柵極漏電流，而GIT則具有脊形結構和高閾值電壓。兩者也都有一些缺點。MIS對柵極干擾的可靠性較低，閾值電壓較低，而GIT的柵極開關速度較慢，柵極漏電流較大。

本文將演示芯片級封裝(CSP) GaN FET提供的散熱性能為什么至少能與硅MOSFET相當，甚至更勝一籌。GaN FET由于其卓越的電氣性能，尺寸可以減小，從而能在不違背溫度限制的同時提高功率密度。本文還將通過PCB布局的詳細3D有限元仿真對這種行為進行展示，同時還會提供實驗驗證，對分析提供支持。

雖然GaN器件可實現更高的功率密度，但為了實現高可靠性的適銷對路的適配器設計，仍有一些系統級問題需要解決。這些問題以散熱設計和EMI合規性為中心。適配器內的電子電路必須要在放置它們的狹小空間中保持冷(表現出低溫升)靜(低發射噪聲)。本文將著眼于實現這些目標的技術。

日前，在AspenCore舉辦的“2022國際AIoT生態發展大會”的“智慧兩輪車分論壇”上，廣東威靈電機制造有限公司兩輪車項目經理劉海量分享了“兩輪車電動力系統技術發展趨勢與解決方案”主題演講。

?成都蓉矽半導體具有自主知識產權的1200V碳化硅二極管產品“NovuSiC??EJBS?”系列已經實現量產。

隨著重型或商用車輛的電氣化，為比電動乘用車更大的電池充電變得必要。由于時間就是金錢，特別是在物流領域，分配空閑時間進行充電或增加充電功率是首選方案。這導致了三種不同的充電方案。

在本系列的前幾篇文章中，我們介紹了基于onsemi豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25kW?EV快充系統。在這一章，我們來看看其中的散熱管理部分是如何提高效率和可靠性，同時防止系統過早失效的。

Bill?Collins是我在1977年研究生畢業后加入IR時的戰略營銷主管。他指導我完成了功率MOSFET及其第二代版本HEXFET的開發。Bill剛滿90歲，我們仍然會每隔幾個月吃一次午飯。

最近遇到一家客戶有點“不切實際”地執意要在輻射暴露的供電應用中，使用并非專為輻射環境而設計的功率MOSFET……

本篇將介紹25kW快充系統中的輔助電源設計。它基于onsemi針對800V母線電壓的EV應用所做的一個輔助電源參考設計方案，即SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB，它能提供15V/40W的持續輸出供電。類似的方案還有SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB，它能提供15V/15W的持續輸出。